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認識電路中的VMOS
日前我們所能見到的場效應(yīng)管，多半是廣義上的VMOS，即垂直溝道功率MOSFET。小功率的場效應(yīng)管并不常見，JFET和MOSFET則兼而有之，如果玩1970~1980年間的收音頭和音頻功放，見到它們的機會就多一些。在更占老的機器里，也許還能見到VFET，在固態(tài)射頻發(fā)射機里，LDMOS和HEMT也能夠見到，只是這樣的機會是少而又少。
除了小型封裝的VMOS場以外，多數(shù)MOS場效應(yīng)管單管的引腳排列順序是一樣的（圖2.1），極少有例外。讓VMOS的引腳向下，使有字的一面朝向自己，那么從左至右就是G（柵極）、D(漏極)、S(源極)，TAB表示散熱片，與漏極相通。小型封裝、多管封裝等則需要查閱器件的技術(shù)手冊，沒有統(tǒng)一規(guī)律可循。
VMOS模塊是最為常見的場效應(yīng)管模塊，塑料外殼上一般有引腳定義的標識。引腳標識無外乎兩種方法：一種是直接在引腳附近用寧母標識，如G、D、S、SID2（兩管的公共端）等；另一種足引腳用阿拉伯數(shù)字標識，在模塊的側(cè)面有內(nèi)部的等效電路原理圖和引腳編號。另外，模塊上主電極與副電極從外形上也 是比較容易區(qū)分的，因為它們的大小、形狀的差異非常明顯（圖2.2）。
