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耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所不同是，在常態(tài)下，它內(nèi)部的（導(dǎo)電）溝道是天生的。換言之，常態(tài)下的耗盡型MOSFET是導(dǎo)通的，這一點(diǎn)與JFET相同，所不同的是二者的柵極結(jié)構(gòu)。

耗盡型MOSFET也有N溝道與P溝道兩種，以P溝道較為常見。橫向溝道的耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)簡圖如圖1.22所示，也有垂直溝道的產(chǎn)品。P溝道的只需要將結(jié)構(gòu)圖中的“P"與“N”對調(diào)即可。

   目前市場上只能見到小功率耗盡型MOSFET產(chǎn)品，電壓規(guī)格為500V左右，比JFET要高得多。