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2021 年 10 月 26 日，中國——STPOWER MDmesh K6 新系列超級結晶體管改進多個關鍵參數，最大限度減少系統功率損耗，特別適合基于反激式拓撲的照明應用，例如，?LED?驅動器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。
意法半導體?800V STPOWER MDmesh K6系列， 為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼備的標桿。MDmesh K6 的RDS（on） x 面積參數在市場上現有800V產品中處于領先水平，能夠實現緊湊的集高功率密度與市場領先的能效于一身新的新設計。
此外，K6 系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的電壓驅動，從而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待機應用。總柵極電荷 （Qg） 也非常低，可以實現高開關速度和低損耗。
芯片上集成一個?ESD 保護二極管，將?MOSFET?的整體魯棒性提高到人體模型 （HBM） 2 級。
意大利固態照明創新企業TCI（www.tcisaronno.net）的首席技術官、研發經理 Luca Colombo 表示：“我們已經測評了新的超結超高壓 MDmesh K6 系列的樣片，并注意到其出色的 Rdson* 面積和總柵極電荷 （Qg） 性能特點，給我們印象深刻。”
采用 TO-220?通孔封裝的 STP80N240K6 （RDS（on）max = 0.22？6？8， Qgtyp = 25.9nC）是首批量產的 MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore網上商店現已提供免費樣片。DPAK 和 TO-220FP 版本將于 2022 年 1 月前量產。訂購1000 件，單價1.013 美元起。
意法半導體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產品組合，將導通電阻RDS（on）范圍從 0.22Ω 擴大到 4.5Ω，并增加一系列封裝選項，包括 SMD 和通孔外殼。
