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P溝道為空穴流，N溝道為電子流，所以場效應三極管也稱為單極性三極管。FET乃是利用輸入電壓(Vgs)來控制輸出電流(Id)的大小。所以場效應三極管是屬于電壓控制元件。它有兩種類型，一是結型（接面型場效應管）(JFET)，一是金氧半場效應三極管，簡稱MOSFET，MOSFET又可分為增強型與耗盡型兩種。
N溝道，P溝道結型場效應管的D、S是由N(或P)中間是柵極夾持的通道，這個通道大小是受電壓控制的，當然就有電流隨柵極電壓變化而變。可以看成柵極是控制電流閥門。
增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。柵極電壓高低決定電場的變化，進而影響載流子的多少，引起通過S、D電流變化。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。
此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值普通偏高，央求有較高的工作電壓。
p溝道mos管工作原理
正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應為負值，以保證兩個P區與襯底之間的PN結均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應為負。
1、Ｖds≠Ｏ的情況導電溝道構成后，ＤＳ間加負向電壓時，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加。
Ｉd沿溝道產生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負電荷電場的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄。當Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現預夾斷。
2、Vds=0時，在柵源之間加負電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒有電流，但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷，Ｎ型半導體中的多子電子被負電荷排斥向體內運動，表面留下帶正電的離子，構成耗盡層，隨著Ｇ、Ｓ間負電壓的增加，耗盡層加寬。
當Vgs增大到一定值時，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構成一個Ｐ型薄層，稱反型層。
這個反型層就構成漏源之間的導電溝道，這時的Ｖgs稱為開啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣可以用Vgs的大小控制導電溝道的寬度。
PMOS的Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導通，并非相對于地的電壓。
但是因為PMOS導通內阻比較大，所以只適用低功率的情況。不過，大功率仍然使用N溝道MOS管。
