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1、旁路瓷片電容器的電容不能太大，而它的寄生串聯電感應盡量小，多個電容并聯能改善電容的阻抗特性;
2、電感的寄生并聯電容應盡量小，電感引腳焊盤之間的距離越遠越好;
3、避免在地層上放置任何功率或信號走線;
4、高頻環路的面積應盡可能減小;
5、過孔放置不應破壞高頻電流在地層上的路徑;
6、系統板上一小同電路需要不同接地層，小同電路的接地層通過單點與電源接地層相連接;
7、控制芯片至上端和下端場效應管的驅動電路環路要盡量短;
8、開關電源功率電路和控制信號電路元器件需要連接到小同的接地層，這二個地層一般都是通過單點相連接。
1、Y電容放置在需要吸收的地方，接地越近越好，但也要考濾具體的設備結構而定，但有一個原側就是接地點不要遠離Y電容中心接地端。
2、控制IC的CS腳與MOS和S極間的電阻應靠近MOS的S極，因為在此電阻上獲取取樣較低的電壓，距MOS的S極遠，總電阻會增加而產生誤差，另外也容易受到外部的影響受到干擾，這也要看具體電路，如同步整流電路UCC28950就不是這樣，CS分流電阻就離IC很近，原因是CS信號電壓比較高，總的原側是看哪邊的電壓比較低，IC的CS端就靠近哪邊，但在開關電源中CS電阻一定要在SOM最近的接地處。
3、驅動電路應靠近控制IC，因為IC輸出的電壓不是很高，而驅動電路輸出的電壓相對比控制IC輸出的電壓高很多，受到外界影響要小很多。
4、初次極的吸收電路電阻靠近交流輸入電壓端為好（如經過濾波的+310），因為電阻含有電感成份，易受外部干擾，也同時干擾其它電路，該電阻遠離開關元件（如MOS端），次極則是電阻靠近低電壓處，如電解的負極接地處。
