典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，近年來，采用硅平面工藝**的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。肖特基二極管特性曲線的比較看得出來。
肖特基二極管與普通二極管特性曲線比較
由于肖特基二極管結構堅固，反應速度快及雜波小，使它廣泛地被應用在高頻電路中。近年來亦使用于低電壓高電流的電源電路及交流―直流變換系統中。另外尚使用于雷達系統。肖特基ＴＴＬ邏輯ＩＣ，通信設備的混波器及檢波器，儀表及模擬―數字（Ａ／Ｄ）變換器中。
